Vishay IRFZ48

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.000006 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

TO-220AB

Turn Off Delay Time

210 NanoSeconds

Manufacturer Part Number

IRFZ48

Manufacturer

Vishay

RoHS

无

Voltage Rating (DC)

60 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

7.63

Drain Current-Max (ID)

50 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

190 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

额定电流

50 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.1 NanoSeconds

晶体管应用

SWITCHING

电路型态

N-Channel

上升时间

250 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

50 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

190 W

漏源电阻

18 mΩ

环境耗散-最大值

190 W

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

长度

10.41 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅