Vishay IRHMS57260SE

安装类型

SMD

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

型芯材料

Ceramic

MSL

n/a

Shield

Unshielded

RoHS

有

Package Description

HERMETIC SEALED PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHMS57260SE

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

45 A

操作温度

-40...+150°C

系列

1008AS

容差

±5 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/685

JESD-30代码

S-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

n/a

电感,电感

0,0047 uH

测试频率

7,9 MHz

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

大小

1008

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-254AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45 A

漏极-源极导通最大电阻

0.044 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

256 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

自谐振频率

6 000 MHz

最大耗散功率(Abs)

208 W

特征

-