Vishay IRLU120

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

TO-251

Turn Off Delay Time

21 NanoSeconds

Manufacturer Part Number

IRLU120

Manufacturer

Vishay

RoHS

无

Voltage Rating (DC)

100 V

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.15

Part Package Code

TO-251AA

Drain Current-Max (ID)

7.7 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

unknown

额定电流

7.7 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9.8 NanoSeconds

晶体管应用

SWITCHING

电路型态

N-Channel

上升时间

64 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7.7 A

JEDEC-95代码

TO-251AA

栅极至源极电压(Vgs)

10 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.27 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

31 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

42 W

无铅

含铅