Vishay J 850

工厂交货时间

20 Weeks, 1 Day

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

SQJ850EP-T1_GE3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Risk Rank

7.91

Drain Current-Max (ID)

24 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.023 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

11 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR