JANTXV2N6660详情
Vishay JANTXV2N6660重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANTXV2N6660
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DEFENSE LOGISTICS AGENCY
Part Package Code
BCY
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
0.99 A
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AD
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
JANTXV2N6660拓展信息
Vishay
Vishay
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