Vishay L 110

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRLL110TRPBF

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Part Package Code

TO-261AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

2.9

Samacsys Description

Power MOSFET, N Channel

Drain Current-Max (ID)

1.5 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

漏极-源极导通最大电阻

0.54 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR