Vishay M312L5128AU0-CB3

表面安装

NO

终端数量

184

Package Description

DIMM, DIMM184

Package Style

微电子组件

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

DIMM184

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Part Package Code

DIMM

Risk Rank

5.84

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

三星半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIMM

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Number of Words

536870912 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Manufacturer Part Number

M312L5128AU0-CB3

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.7 ns

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.36

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

184

JESD-30代码

R-XDMA-N184

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

8.2 mA

组织结构

512MX72

输出特性

3-STATE

内存宽度

72

待机电流-最大值

1.17 A

记忆密度

38654705664 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR内存模块

刷新周期

8192

访问模式

双库页面突发

自我刷新

YES

达到SVHC

unknown