M55342K04B249DM详情
Vishay M55342K04B249DM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件包装
D2PAK-7
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
UF3C170400
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
厂商
UnitedSiC
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
515mOhm @ 5A, 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
734 pF @ 1200 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23.1 nC @ 15 V
漏源电压 (Vdss)
1700 V
Vgs(最大值)
±25V
场效应管特性
-
M55342K04B249DM拓展信息








哦! 它是空的。