Vishay M55342K10B4E99R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

端子形状

WRAPAROUND

越来越多的功能

SURFACE MOUNT

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta)

Package Description

CHIP

Package Style

SMT

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

M55342K10B4E99R

Package Shape

矩形包装

Manufacturer

Vishay Intertechnologies

Package Height

0.61 mm

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Length

2.667 mm

Risk Rank

4.44

Package Width

2.54 mm

Manufacturer Series

E/H

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

容差

1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

4990 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn60Pb40) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

NON-INDUCTIVE

子类别

固定电阻器

技术

MOSFET (Metal Oxide)

结构

Chip

电阻器类型

固定电阻

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

MIL-PRF-55342

额定功率损耗(P)

0.5 W

工作电压

75 V

尺寸代码

1010

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

--