Vishay MMSZ4688-V-GS18

包装/外壳

10-VFDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

10-DFN (3x3)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Driver Configuration

Half-Bridge

Logic voltage-VIL, VIH

--

Package Description

R-PDSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Reference Voltage-Nom

4.7 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MMSZ4688-V-GS18

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

威世半导体

Risk Rank

5.26

包装

Tape & Reel (TR)

系列

--

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

电压基准二极管

技术

ZENER

电压 - 供电

7 V ~ 13.2 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

基本部件号

ISL6612B

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

输入类型

Non-Inverting

最大电压允差

5%

工作测试电流

0.05 mA

上升/下降时间(Typ)

26ns, 18ns

信道型

Synchronous

驱动器数量

2

闸门类型

N-Channel MOSFET

峰值输出电流（源极，漏极）

1.25A, 2A

高压侧电压-最大值(自举)

36V