Vishay RNR55C1002FSTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-VBGA

供应商器件包装

24-FBGA (6x8)

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

HyperRAM™ KL

温度系数

50.0000 ppm/°C

电阻

10 kOhm

额定功率

0.125 W

技术

PSRAM (Pseudo SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

电阻器类型

High Reliability, MIL-PRF-55182

内存大小

64Mbit

时钟频率

200 MHz

访问时间

35 ns

内存格式

PSRAM

内存接口

HyperBus

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

电阻公差

1

组织的记忆

8M x 8

产品长度

9.63