SI2305DS-T1-GE3
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Vishay SI2305DS-T1-GE3

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型号

SI2305DS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2305DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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SI2305DS-T1-GE3 Vishay TRANSISTOR 3.5 A, 8 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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SI2305DS-T1-GE3详情

Vishay SI2305DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    55 ns

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    1.25 W

  • 电压

    8 V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    58 A

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 上升时间

    25 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    -8 V

  • 连续放电电流(ID)

    3.5 A

  • 阈值电压

    -800 mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8 V

  • 漏源击穿电压

    -8 V

  • 输入电容

    1.245 nF

  • 漏源电阻

    52 mΩ

  • 最大rds

    52 mΩ

  • 栅源电压

    -800 mV

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

0个相似型号

SI2305DS-T1-GE3拓展信息

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