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VISHAY SI2369BDS-T1-GE3

Name: SI2369BDS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SI2369BDS-T1-GE3
Price: 4.61 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2369BDS-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI2369BDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A

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SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A

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SI2369BDS-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SI2369BDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

P-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

-30V
Drain current

-7.5A
Pulsed drain current

-50A
Case

SOT23
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

2.5W
Gate charge

19.5nC
On-state resistance

39mΩ

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SI2369BDS-T1-GE3拓展信息

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