注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥0.69363
500

￥0.510022
1000

￥0.425021
2000

￥0.389922
5000

￥0.364416
10000

￥0.338988
15000

￥0.327842
50000

￥0.322364

VISHAY SI3424CDV-T1-GE3

Name: SI3424CDV-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SI3424CDV-T1-GE3
Price: 0.69 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SI3424CDV-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI3424CDV-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W

单价: $

合计: ￥

库存:60000

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SI3424CDV-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SI3424CDV-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

30V
Drain current

8A
Pulsed drain current

20A
Case

TSOP6
Gate-source voltage

±20V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

2.3W
Gate charge

12.5nC
On-state resistance

26mΩ

0个相似型号

SI3424CDV-T1-GE3拓展信息

热销零件