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VISHAY SI3429EDV-T1-GE3

Name: SI3429EDV-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SI3429EDV-T1-GE3
Price: 6.8 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI3429EDV-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI3429EDV-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6

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SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6

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SI3429EDV-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SI3429EDV-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

P-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

-20V
Drain current

-8A
Pulsed drain current

-40A
Case

TSOP6
Gate-source voltage

±8V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Version

ESD
Gross weight

0.01g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

2.7W
Gate charge

43.2nC
On-state resistance

38mΩ

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SI3429EDV-T1-GE3拓展信息

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