Vishay SI3900DV-T1

质量

19.986414 mg

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

14 ns

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

830 mW

通道数量

2

元素配置

Dual

功率耗散

830 mW

接通延迟时间

10 ns

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

连续放电电流(ID)

2 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏源击穿电压

20 V

漏源电阻

200 mΩ