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VISHAY SI8800EDB-T2-E1

Name: SI8800EDB-T2-E1
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SI8800EDB-T2-E1
Price: 1.22 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI8800EDB-T2-E1

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI8800EDB-T2-E1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A

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SI8800EDB-T2-E1 VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A

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SI8800EDB-T2-E1详情

技术参数

VISHAY SI8800EDB-T2-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

20V
Drain current

2.8A
Pulsed drain current

15A
Gate-source voltage

±8V
Mounting

SMD
Kind of package

reel,
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.001 g
Power dissipation

0.9W
Gate charge

8.3nC
On-state resistance

0.15Ω

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SI8800EDB-T2-E1拓展信息

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