SIA112LDJ-T1-GE3详情
Vishay SIA112LDJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerPAK® SC-70-6
供应商器件包装
PowerPAK® SC-70-6
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
SIA112
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Product Status
活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
TrenchFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
355 pF @ 50 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.8 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±25V
场效应管特性
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SIA112LDJ-T1-GE3拓展信息
Vishay
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