注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥30.5812
10

￥28.850192
100

￥27.21716
500

￥25.676569
1000

￥24.223178

VISHAY SIDR680DP-T1-GE3

Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SIDR680DP-T1-GE3
Price: 30.58 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SIDR680DP-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIDR680DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A

单价: $

合计: ￥

库存:6611

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SIDR680DP-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SIDR680DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

80V
Drain current

100A
Pulsed drain current

200A
Gate-source voltage

±20V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

125W
Gate charge

105nC
On-state resistance

3.4mΩ

0个相似型号

SIDR680DP-T1-GE3拓展信息

热销零件