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10

￥41.473665
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500

￥36.911412
1000

￥34.822085

VISHAY SIHB053N60E-GE3

Name: SIHB053N60E-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SIHB053N60E-GE3
Price: 43.96 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SIHB053N60E-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIHB053N60E-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W

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SIHB053N60E-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W

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SIHB053N60E-GE3详情

技术参数

VISHAY SIHB053N60E-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Certificates

RoHS compliant
Gross weight

1.5g
Kind of channel

enhanced
Kind of package

reel
Kind of package1

tape
Mounting

SMD
Gate-source voltage

±30V
Case

D2PAK
Case1

TO263
Pulsed drain current

128A
Drain current

47A
Drain-source voltage

600V
Polarisation

unipolar
Type of transistor

N-MOSFET
Power dissipation

278W
Gate charge

92nC
On-state resistance

54mΩ

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SIHB053N60E-GE3拓展信息

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