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VISHAY SIHB22N60AE-GE3

Name: SIHB22N60AE-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SIHB22N60AE-GE3
Price: 33.86 USD
Availability: InStock
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对比

型号

SIHB22N60AE-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIHB22N60AE-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W

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SIHB22N60AE-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W

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SIHB22N60AE-GE3详情

技术参数

VISHAY SIHB22N60AE-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

600V
Drain current

51A
Pulsed drain current

268A
Case1

TO263
Case

D2PAK
Gate-source voltage

±30V
Mounting

SMD
Kind of package

tube
Kind of channel

enhanced
Gross weight

2g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

520W
Gate charge

443nC
On-state resistance

30mΩ

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SIHB22N60AE-GE3拓展信息

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