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1000

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VISHAY SIHD2N80AE-GE3

Name: SIHD2N80AE-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SIHD2N80AE-GE3
Price: 7.51 USD
Availability: InStock
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对比

型号

SIHD2N80AE-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIHD2N80AE-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD

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SIHD2N80AE-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD

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SIHD2N80AE-GE3详情

技术参数

VISHAY SIHD2N80AE-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

800V
Drain current

1.8A
Pulsed drain current

3.6A
Case1

TO252
Case

DPAK
Gate-source voltage

±30V
Mounting

SMD
Kind of channel

enhanced
Version

ESD
Gross weight

0.326g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

62.5W
Gate charge

10.5nC
On-state resistance

2.5Ω

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SIHD2N80AE-GE3拓展信息

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