Vishay SIHFIB16N50K-E3

底架

通孔

包装/外壳

TO-220FP-3

引脚数

3

质量

6.000006 g

Continuous Drain Current Id

6.7

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

28 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

11 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

48 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Vishay

Brand

Vishay / Siliconix

Qg - Gate Charge

72 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

77 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

53 ns

Id - Continuous Drain Current

17 A

系列

E

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

45 W

技术

Si

配置

Single

通道数量

1

接通延迟时间

17 ns

上升时间

16 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

6.7 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

信道型

N

漏源电阻

350 mΩ

产品类别

MOSFET

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

长度

10.41 mm

辐射硬化

无