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Vishay SIHFR320TR-GE3

Name: SIHFR320TR-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SIHFR320TR-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SIHFR320TR-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SIHFR320TR-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR320TR-GE3 Vishay TRANSISTOR 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR320TR-GE3详情

技术参数

Vishay SIHFR320TR-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252AA
Continuous Drain Current Id

3.1
RoHS

Non-Compliant
Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)
Product Status

活跃
Mounting Styles

SMD/SMT
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散

42
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8Ohm @ 1.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

400 V
Vgs（最大值）

±20V
信道型

N
场效应管特性

-

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SIHFR320TR-GE3拓展信息

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