Vishay SIHFR9220-GE3

包装/外壳

TO-252-3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

TO-252AA

Continuous Drain Current Id

3.6

Unit Weight

0.011640 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Vishay

Brand

Vishay / Siliconix

RoHS

Details

Turn Off Delay Time

7.3 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Vishay Siliconix

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Product Status

活跃

系列

SiHFR9220

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

技术

Si

电压

200 V

电流

14 A

功率耗散

42

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V

上升时间

27 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

3.6 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

信道型

P

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

长度

6.73 mm

辐射硬化

无