SIHK185N60EF-T1GE3详情
Vishay SIHK185N60EF-T1GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerBSFN
供应商器件包装
PowerPAK®10 x 12
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
114W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
EF
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
193mOhm @ 9.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1081 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
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SIHK185N60EF-T1GE3拓展信息
Vishay
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