Vishay SIJH5800E-T1-GE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Flat Lead Exposed Pad

供应商器件包装

HSNT-4-A

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

S-1312

厂商

ABLIC Inc.

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Ta), 302A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

3.3W (Ta), 333W (Tc)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

80 V

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V, 4 V

Pd - Power Dissipation

333 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

170 ns

Manufacturer

Vishay

Brand

Vishay Semiconductors

Qg - Gate Charge

103 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

1.35 mOhms, 1.58 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

53 ns

Id - Continuous Drain Current

302 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

S-1312

包装

MouseReel

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大电流源

30 µA

电压 - 输入（最大值）

5.5V

输出类型

固定式

通道数量

1 Channel

输出配置

Positive

输出电流

150mA

控制功能

启用

电压 - 输出（最小值/固定）

2.9V

稳压器数

1

保护特性

Overcurrent, Thermal Shutdown

静态电流（Iq）

1 µA

场效应管类型

N-Channel

电压降（最大值）

0.32V @ 100mA

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.35mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

电源抑制比

65dB (1kHz)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7730 pF @ 40 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155 nC @ 10 V

上升时间

28 ns

漏源电压 (Vdss)

80 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

电压 - 输出（最大值）

-

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET