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VISHAY SIRA18BDP-T1-GE3

Name: SIRA18BDP-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SIRA18BDP-T1-GE3
Price: 4.75 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SIRA18BDP-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SIRA18BDP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W

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SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W

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SIRA18BDP-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SIRA18BDP-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

30V
Drain current

32A
Pulsed drain current

90A
Case

PowerPAK® SO8
Gate-source voltage

-16...20V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

11W
Gate charge

19nC
On-state resistance

10.5mΩ

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SIRA18BDP-T1-GE3拓展信息

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