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VISHAY SIRA88BDP-T1-GE3
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SIRA88BDP-T1-GE3
2668-SIRA88BDP-T1-GE3
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
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SIRA88BDP-T1-GE3详情
VISHAY SIRA88BDP-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
32A
Pulsed drain current
90A
Case
PowerPAK® SO8
Gate-source voltage
-16...20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
11W
Gate charge
19nC
On-state resistance
10.5mΩ
SIRA88BDP-T1-GE3拓展信息
Vishay
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哦! 它是空的。