Vishay SIS112LDN-T1-GE3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PowerPAK® 1212-8

供应商器件包装

PowerPAK® 1212-8

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A (Ta), 8.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Vishay Siliconix

Power Dissipation (Max)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TrenchFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

119mOhm @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

355 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.8 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-