我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
VISHAY SISA14BDN-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SISA14BDN-T1-GE3
2668-SISA14BDN-T1-GE3
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W
--最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
SISA14BDN-T1-GE3详情
VISHAY SISA14BDN-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
58A
Pulsed drain current
130A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
-16...20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
29W
Gate charge
22nC
On-state resistance
7.02mΩ
SISA14BDN-T1-GE3拓展信息
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
哦! 它是空的。