注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥6.880034
10

￥6.4906
100

￥6.123204
500

￥5.776611
1000

￥5.449627

VISHAY SISH108DN-T1-GE3

Name: SISH108DN-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SISH108DN-T1-GE3
Price: 6.88 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SISH108DN-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SISH108DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17.6A; Idm: 60A; 2W

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

SISH108DN-T1-GE3 VISHAY Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17.6A; Idm: 60A; 2W

单价: $

合计: ￥

库存:28938

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SISH108DN-T1-GE3详情

技术参数

VISHAY SISH108DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

20V
Drain current

17.6A
Pulsed drain current

60A
Case

PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage

±16V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

2W
Gate charge

30nC
On-state resistance

6.1mΩ

0个相似型号

SISH108DN-T1-GE3拓展信息

热销零件