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VISHAY SISH110DN-T1-GE3
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SISH110DN-T1-GE3
2668-SISH110DN-T1-GE3
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16.9A; Idm: 60A; 2W
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SISH110DN-T1-GE3详情
VISHAY SISH110DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
16.9A
Pulsed drain current
60A
Case
PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2W
Gate charge
21nC
On-state resistance
7.8mΩ
SISH110DN-T1-GE3拓展信息
Vishay
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哦! 它是空的。