注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥7.717544
10

￥7.280699
100

￥6.868584
500

￥6.4798
1000

￥6.11302

VISHAY SQ3419EV-T1_GE3

Name: SQ3419EV-T1_GE3
Brand: VISHAY
SKU: 2668-SQ3419EV-T1_GE3
Price: 7.72 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

SQ3419EV-T1_GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SQ3419EV-T1_GE3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A

单价: $

合计: ￥

库存:1635

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

SQ3419EV-T1_GE3详情

技术参数

VISHAY SQ3419EV-T1_GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

P-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

-40V
Drain current

-6.9A
Pulsed drain current

-27A
Case

TSOP6
Gate-source voltage

±20V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

0.1g
Certificates

RoHS compliant
应用

automotive industry
Power dissipation

1.6W
Gate charge

11.3nC
On-state resistance

86mΩ

0个相似型号

SQ3419EV-T1_GE3拓展信息

热销零件