SQJ912EP-T1-GE3
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Vishay SQJ912EP-T1-GE3

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型号

SQJ912EP-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SQJ912EP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 8A 5-Pin(4 Tab) PowerPAK SO T/R

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SQJ912EP-T1-GE3
SQJ912EP-T1-GE3 Vishay Trans MOSFET N-CH 40V 8A 5-Pin(4 Tab) PowerPAK SO T/R

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SQJ912EP-T1-GE3详情

Vishay SQJ912EP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    33 ns

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    48 W

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    48 W

  • 接通延迟时间

    7 ns

  • 上升时间

    21 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • 连续放电电流(ID)

    8 A

  • 阈值电压

    1.8 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    40 V

  • 输入电容

    2.248 nF

  • 漏源电阻

    14 mΩ

  • 最大rds

    14 mΩ

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

0个相似型号

SQJ912EP-T1-GE3拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

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