SQM110P06-07L-GE3
SQM110P06-07L-GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay SQM110P06-07L-GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SQM110P06-07L-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SQM110P06-07L-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0067 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
SQM110P06-07L-GE3
SQM110P06-07L-GE3 Vishay TRANSISTOR 120 A, 60 V, 0.0067 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

请发送询价,我们将立即回复。

库存:3200

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SQM110P06-07L-GE3详情

Vishay SQM110P06-07L-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    97 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    375 W

  • 功率耗散

    375 W

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 上升时间

    23 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • 连续放电电流(ID)

    120 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    14.28 nF

  • 漏源电阻

    6.7 mΩ

  • 最大rds

    6.7 mΩ

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

SQM110P06-07L-GE3拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z