Vishay UGB18CCT-E3/45

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-263AB

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Product Status

最后一次购买

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

18A

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UGB18CCT-E3/45

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

威世半导体

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

5.3

Part Package Code

D2PAK

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

应用

EFFICIENCY

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 150 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 9 A

箱体转运

CATHODE

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

输出电流-最大值

9 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

150 V

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

150 V

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大非代表Pk前进电流

175 A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

10 µA

反向恢复时间-最大值

0.03 µs

反向测试电压

150 V

反向恢复时间(trr)

30 ns