VCR2N-E3详情
Vishay VCR2N-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Part Package Code
BCY
Risk Rank
5.21
Ihs Manufacturer
VISHAY SILICONIX
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Vishay Siliconix
Package Shape
ROUND
Manufacturer Part Number
VCR2N-E3
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
额定电流
10 mA
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
GATE
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-206AA
栅极至源极电压(Vgs)
-25 V
漏极-源极导通最大电阻
60 Ω
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
漏源电阻
60 Ω
反馈上限-最大值 (Crss)
7.5 pF
辐射硬化
无
VCR2N-E3拓展信息








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