VCR2N-E3
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Vishay VCR2N-E3

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型号

VCR2N-E3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-VCR2N-E3

商品类别

晶体管 - JFET

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA, LEAD FREE, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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VCR2N-E3
VCR2N-E3 Vishay TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA, LEAD FREE, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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VCR2N-E3详情

Vishay VCR2N-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Part Package Code

    BCY

  • Risk Rank

    5.21

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY SILICONIX

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    1

  • Manufacturer

    Vishay Siliconix

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer Part Number

    VCR2N-E3

  • Rohs Code

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    10 mA

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    GATE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-206AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -25 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    60 Ω

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.3 W

  • 漏源电阻

    60 Ω

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    7.5 pF

  • 辐射硬化

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VCR2N-E3拓展信息

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