VFT30-28详情
Vishay VFT30-28重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
VFT30-28
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ASI SEMICONDUCTOR INC
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.5 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
97 W
最高频段
甚高频段
VFT30-28拓展信息
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
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