Vishay VN1206N2

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

VN1206N2

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-39

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

6.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

75 pF