Vishay VQ1001J

表面安装

NO

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

VQ1001J

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

泰美半导体

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TEMIC SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

0.83 A

附加功能

FAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

unknown