Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20
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VS-FC80NA20
2668-VS-FC80NA20
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
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VS-FC80NA20详情
Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件包装
SOT-227
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)
405W (Tc)
Base Product Number
FC80
厂商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
108A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
零件状态
Obsolete
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14mOhm @ 80A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10720 pF @ 50 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
161 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
200 V
Vgs(最大值)
±30V
VS-FC80NA20拓展信息
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