VISHAY INTERTECHNOLOGY INC IRF630F

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

无铅代码

no

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

Non-RoHS Compliant