VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI3456DV-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准