VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI4559EY-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

175°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.4W

RoHS状态

符合RoHS标准