VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI7470DP-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

JESD-30代码

R-PDSO-C5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

DS 击穿电压-最小值

8V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR