VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI7658DP-T1-GE3
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SI7658DP-T1-GE3
2668-SI7658DP-T1-GE3
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SI7658DP-T1-GE3详情
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI7658DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Operating Temperature (Max.)
150°C
Reach合规守则
compliant
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
60A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
104W
RoHS状态
符合RoHS标准
SI7658DP-T1-GE3拓展信息







哦! 它是空的。