VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI7846DP-T1

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Min.)

-55°C

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XDSO-N8

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

DS 击穿电压-最小值

150V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

5.2W

关断时间-最大值（toff)

33ns

接通时间-最大值(ton)

18ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant