VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SI7970DP-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-C6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.5W

RoHS状态

符合RoHS标准