VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SQ1421EEH-T1_GE3
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SQ1421EEH-T1_GE3
2668-SQ1421EEH-T1_GE3
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SQ1421EEH-T1_GE3详情
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SQ1421EEH-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
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表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
Operating Temperature (Min.)
-55°C
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.29Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
35 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
SQ1421EEH-T1_GE3拓展信息







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