SQ1421EEH-T1_GE3
SQ1421EEH-T1_GE3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SQ1421EEH-T1_GE3

  • 收藏
  • 对比

型号

SQ1421EEH-T1_GE3

utmel 编号

2668-SQ1421EEH-T1_GE3

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SQ1421EEH-T1_GE3 datasheet pdf and Unclassified product details from VISHAY INTERTECHNOLOGY INC stock available at utmel

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
SQ1421EEH-T1_GE3
SQ1421EEH-T1_GE3 VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:7500

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SQ1421EEH-T1_GE3详情

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC SQ1421EEH-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    [object Object]

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    175°C

  • Operating Temperature (Min.)

    -55°C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1.6A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.29Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    35 pF

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

SQ1421EEH-T1_GE3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS